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MOS管场效应管晶闸管可控硅问题场效应管分段场效应管和绝缘栅场效应管，而mos管属于后者。mos管和晶闸管的区别在于mos管是全控的，但晶闸管一旦开通，在电流下降到关断电压之前不能关断，而一旦mos管被切断，就会被关闭，场效应晶体管主要有两种，即结型场效应晶体管(JFET)和绝缘栅场效应晶体管(MOS晶体管)。

MOSFET用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域；IGBT广泛应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。场效应晶体管主要有两种，即结型场效应晶体管(JFET)和绝缘栅场效应晶体管(MOS晶体管)。MOS晶体管就是MOSFET，中文叫金属氧化物半导体场效应晶体管。因为这种场效应晶体管的栅极被绝缘层隔离，所以也叫绝缘栅场效应晶体管。

▲MOSFET类型和电路符号有些MOSFET内部有一个二极管，是体二极管，或者是寄生二极管，或者是续流二极管。关于寄生二极管的作用有两种解释:1。MOSFET的寄生二极管是用来防止MOS管在VDD过压下烧坏的，因为在过压损坏MOS管之前，二极管先反向击穿，大电流直接接地，避免了MOS管烧坏。2.防止MOS管的源漏接反时烧毁MOS管，也在电路有反向感应电压时为反向感应电压提供通路，防止反向感应电压击穿MOS管。

Video Mos晶体管工作原理zhi Hu(zhihu.com)第一张图概括了作用:Mos晶体管增强型和耗尽增强型场效应晶体管。所谓增强，就是施加VGS0时，晶体管处于截止状态，加上正确的VGS后，大部分载流子被吸引到栅极，从而“增强”了这个区域的载流子，形成导电沟道。当在栅极上施加电压时，如果0 < vgs < vgs (th)，则栅极附近的P型半导体中的多空穴会被栅极和衬底之间形成的电容电场向下排斥，出现负离子的薄耗尽层。同时，少数载流子会被吸引到表层，但数量有限，不足以形成导电沟道，沟通漏极和源极，所以仍然不足以形成漏极电流ID。

常见场效应晶体管:要求温度稳定性和低噪声时。也可用作压控电阻，可在微电流、低电压条件下工作。且便于集成。它广泛应用于大规模和超大规模集成电路中。常用三极管:当电流控制元件。这是一个由电流控制的装置。扩展资料:三极管，全称应为半导体三极管，又称双极晶体管、晶体管，是一种控制电流的半导体器件。它的作用是将微弱的信号放大成幅度较大的电信号，也用作无触点开关。

mos更快无触点无弧适用于快速频繁的场合，价格昂贵，过载，容易因短路而烧坏。继电器速度慢，性价比高。三极管:最熟悉，但是管耗大，效率不高，速度慢。MOS管:理论上容易控制，速度快。在实践中不容易控制。它需要一个特殊的驱动芯片，关闭比开启要困难得多，而且经常发生(尤其是新手)。继电器:6A之际，可以考虑固态继电器，控制非常方便，开关几十万次问题不大。

晶体管需要电流驱动，输入阻抗较低。MOS晶体管需要电压驱动，输入阻抗高。在实际应用中，两者可以直接替代，也可以不直接替代，取决于实际应用。三极管和MOS晶体管在功能上有很多相似之处，但这两个元件有什么区别呢？用一个电路告诉你。MOS晶体管是电压驱动的元件，可以用很小的功率驱动。导电时电阻小，温度特性好。适用于高速开关，用作线性放大器时容易自激。

场效应管分段场效应管和绝缘栅场效应管，而mos tube属于后者。mos管和晶闸管的区别在于mos管是全控的，但晶闸管一旦开通，在电流下降到关断电压之前不能关断，而一旦mos管被切断，就会被关闭。MOS管的导通需要在栅极和初级电极之间有一个连续的电压，这与SCR不同，MOS晶体管和场效应晶体管是同一个概念。MOS晶体管完全受控，由电压驱动，晶闸管是半控的，由电流驱动。