led外延片行业,LED外延工艺

外延芯片和LED芯片工艺问题半导体厂商主要使用抛光Si芯片(PW)和外延Si芯片作为IC的原料。衬底生长后为外延片，根据外延件技术，将其切割成单个芯片，外延片的面积除以单个芯片的面积，就可以估算出单个芯片外延片可以切割多少个芯片。

三安光电(。行业龙头SH)，正计划再次借助资本市场融资完善产业布局。国庆假期前夕，三安光电抛出了两个重要的直接融资方案。一是拟通过定增募集不超过79亿元，用于湖北三安光电股份有限公司Mini/Micro display产业化项目建设，补充流动资金。二是员工持股，拟募资16亿。两个募投项目总金额将达95亿元，将加速三安光电产业布局。

三安光电的这一产业布局有望提升公司竞争力。三安光电的前身是活力28，后来更名为天一科技。2007年，厦门三安完成借壳上市，公司更名为三安光电，主营业务变更为LED 外延芯片和芯片。今年上半年，三安光电盈利8.84亿元，同比增长近40%。拟融资79亿元，促进结构升级转型。三安光电再次筹划大规模融资计划，推动产业结构转型升级。

2011中国LED行业发展现状及市场预测led作为照明行业的第四代产品，是21世纪最具发展前景的高科技领域之一，未来LED灯将逐步取代白炽灯和荧光灯。每一代照明产品的性能对比如表1所示。具体来说，在目前的技术条件下，LED已经显示出很多优势:1。光效高。光谱几乎完全集中在可见光频率，效率可达50%以上，而光效相近的白炽灯可见光效率只有10% ~ 20%。

3.低能耗。单个功率一般在0.05~1W，通过集群可以满足不同的需求，浪费很少。以LED为光源，同等亮度下耗电量仅为普通白炽灯的1/8~1/10.4，使用寿命长。光通量衰减到70%的标准寿命是100000h，正常情况下一个LED灯可以用50年。我这辈子最多只用两盏灯。5.可靠耐用。没有钨丝、玻壳等易损坏部件，异常报废率很小，维护成本极低。

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关于LED在尴尬的朝阳产业前景的讨论已经是老生常谈了。由于其具有寿命长、能耗低、体积小、响应快、抗震、耐低温等突出优点，应用领域极其广阔。据初步测算，我国LED照明每年节电相当于三峡电站一年发电量，可减排8000万吨CO2、65万吨SO2、32万吨NO2。称之为“人类照明史上的一次革命”并不为过。半导体照明的发展非常迅速。

而且技术进步总是超出市场预期。2006年，日亚实现了150流明/瓦的光效，比OIDA设定的目标提前了6年。不过，几年前，预计2010年商用的瓦级单灯，2006年进入商用市场，目前相当受欢迎。我国LED产业起步于20世纪80年代，经历了进口芯片封装→进口外延芯片封装→自制材料和器件等几个阶段。

现在人们买照明的时候，大多会买led型号，因为led照明更经济，更省电。在餐厅、工厂、酒店、办公室等大型场所，需要使用大功率led照明，所以大部分消费者在购买时都会购买一些大功率led照明。既然想买大功率led照明灯，就需要对其价格和品牌知识有一定的了解。下面小编为大家介绍相关知识。

根据大功率led照明灯的品牌和款式，大功率led照明灯的价格会有所不同，消费者在选购时可以根据个人需求选择不同价位的产品。大功率led照明品牌有:1。勤上光电。产品为led由东莞勤上光电有限公司生产，是国家批准的高新技术产业之一。主要生产各种LED道路照明、商业照明、太阳能、特种照明、LED显示屏等照明产品，质优价廉，深受消费者喜爱。

半导体厂商主要使用抛光Si片(PW)和外延Si片作为IC的原料。外延晶圆在80年代初使用。它具有标准PW不具有的一些电特性，并消除了晶体生长和后续晶片加工中引入的许多表面/近表面缺陷。历史上，外延 wafer是Si晶圆厂商生产自用的，在IC中用的不多。需要在单晶硅晶片的表面上沉积一层薄的单晶硅层。一般外延层厚度为2 ~ 20微米，而衬底Si厚度为610μm(直径150mm切片)和725μm(200mm切片)。

单片反应器能生产出质量最好的外延层(厚度和电阻率均匀性好，缺陷少)；此外延件用于生产150毫米“前沿”产品和所有重要的200毫米产品。外延Product外延该产品用于四个方面，CMOS互补金属氧化物半导体支持要求器件尺寸较小的尖端技术。CMOS产品是外延 chip最大的应用领域，被IC厂商用于不可恢复器件的工艺中，包括微处理器和逻辑芯片，以及存储器应用中的闪存和DRAM(动态随机存取存储器)。

外延芯片和芯片一般是做在一起的。外延芯片是芯片之母，一般都是圆形，12寸大小，技术水平不同，大小也不同。外延产品分割后可以做成芯片，芯片一般以mil为单位，方块较多。目前国产的芯片都是外延 chip。芯片统称(Chips)，三安做得很好。衬底生长后为外延片。根据外延件技术，将其切割成单个芯片。外延片的面积除以单个芯片的面积，就可以估算出单个芯片外延片可以切割多少个芯片。

LED 外延 chip生长的基本原理是在LED 外延 chip加热到适当温度的衬底(主要是蓝宝石、sic、Si)上，控制气态物质InGaAlP输送到衬底表面生长特定的单晶薄膜。目前LED 外延芯片的生长技术主要采用有机金属化学气相沉积法，外延芯片做好之后，中游的芯片厂商会拿走长电极然后切割，下游的封装厂会拿走芯片厂做的LED芯片进行封装。